SK海力士，蒸发1.45万亿元；
三星电子，蒸发1.15万亿元；
美光科技，蒸发1.39万亿元。
截至北京时间7月30日，海外三大存储巨头本周以来的市值已经累计蒸发约4万亿元。而刚刚登陆A股的长鑫科技却逆势大涨，自27日上市以来，市值累计大增2.9万亿元。
走势为何如此分化？
为了绑定硅谷AI企业，存储三巨头将大量产能“锁死”在HBM（高带宽内存），为深耕DRAM（动态随机存取存储器）的长鑫科技腾出了巨大的市场空间。
硅谷AI巨头最新财报显示，投入仍在增长，但自由现金流面临大幅缩水。有美国半导体分析师向《每日经济新闻》记者预测称，AI支出终有停滞的一天，届时DRAM行业四家头部企业中，恐有一家出局。
AI狂潮下的冰火两重天：存储三巨头大跌，长鑫科技四日市值大增2.9万亿元7月29日和7月30日，SK海力士和三星电子发布的最新财报显示，营业利润增幅亮眼，但SK海力士股价在29日当天一度跌逾19%，创下历史最大单日跌幅，本周累跌25%，市值累计蒸发308万亿韩元（约合人民币1.45万亿元）；三星电子本周累跌17%，市值蒸发约244.8万亿韩元（约合人民币1.15万亿元）。
另一大存储巨头美光科技本周也下跌近20%，市值累计蒸发2054亿美元（约合人民币1.39万亿元）。
与三大存储巨头形成鲜明对比，“A股市值王”长鑫科技自27日上市以来上涨510%，市值累计大增2.9万亿元至3.54万亿元。
股价走势分化的背后，是科技巨头激进的AI资本开支对存储行业带来的产能挤压效应。
7月30日，微软宣布，2026财年第四财季（截至今年6月）资本支出达到410亿美元，同比增长超过70%。同日，Meta的财报显示其二季度资本支出同比大增83%至310.8亿美元。
上周公布财报的谷歌和特斯拉也在继续扩大AI投入。谷歌将2026年全年资本开支指引上调至1950亿~2050亿美元，这是谷歌年内第二次上调资本开支指引。马斯克也在财报会上强调，今年资本开支将超250亿美元，并且未来两到三年还将持续增长。
摩根大通在7月20日的报告中称，目前市场预计，2026年全球AI相关资本开支将接近8700亿美元，同比增长77%。其中，超大规模厂商预计贡献约7500亿美元。
为了满足科技巨头的需求，三星电子、SK海力士、美光科技过去两年主动调整产能结构，将先进制程晶圆投向利润丰厚的HBM，这给正在发力DRAM（动态随机存取存储器）的长鑫科技带来了巨大的市场空间。
瑞银集团（UBS）发布的《存储芯片月度报告》显示，单台AI服务器搭载的DRAM容量是传统数据中心服务器的8至10倍。今年7月，全球存储芯片的销售额达到746亿美元，创下行业有史以来最高月度纪录，环比上涨31.7%。其中，DRAM销售额约为480亿美元，是存储芯片市场营收的核心，环比增长27.7%。
瑞银预计，2026年第三季度DRAM合约价格预计将环比上涨32%，第四季度续涨18%。至少到2028年第二季度，DRAM的供应将持续处于结构性短缺状态。
AI烧钱还能持续多久？分析师：大概率会有一家企业出局持续高企AI投资，导致硅谷科技巨头过去十多年积累的现金正在被吞噬。
Meta二季度的自由现金流同比大跌91%至7.84亿美元；微软的Azure业务虽然加速增长，全年营收首破1000亿美元，但在AI开支增长的背景下，第四财季的自由现金流依然下跌23%；谷歌和特斯拉的自由现金流更是直接转负，且谷歌是自2004年上市以来单季自由现金流首次跌至负值。
这也让市场开始担忧：高额的资本开支还能维持多久？存储芯片需求是否能持续？
摩根大通近期的《Flows & Liquidity》报告显示，美国主要科技巨头的AI基础设施资本开支整体增速预计将在2027年急剧放缓，从2026年的100%骤降至22%，到2028年进一步回落至7%。
SK海力士在二季度的财报电话会议上则反驳了AI投资放缓担忧，称高效AI模型的普及不太可能导致对基础设施和内存的需求下降。在与主要客户进行的中长期需求洽谈中，公司也确认了AI投资的可持续性，相信AI基础设施投资在明年之后仍将保持稳健。
三星电子也预计2026年下半年，随着AI基础设施资本支出的持续投入以及代理式AI的广泛应用，以服务器为中心的需求将保持强劲。与此同时，服务器DRAM、eSSD（企业级固态硬盘）和HBM的需求增长预计将加速。
美国知名半导体分析师、独立市场研究与咨询机构Objective Analysis总经理Jim Handy告诉《每日经济新闻》记者，“AI领域资本投入终有阶段性停滞的一天，届时会直接引发DRAM行业价格暴跌。”
他预计，DRAM行业未来会出现类似2000年互联网泡沫时的调整。他进一步说道：“一旦行业迎来周期回调，营收增速大概率回落至2000—2024年的低速区间。行业高景气增长阶段，能够容纳四家头部玩家，一旦增长失速，大概率会有一家企业出局。”
SK海力士和三星电子已决定扩产。6月底，韩国政府联手三星、SK集团公布了总计4755万亿韩元的企业国内投资计划，包括在韩国西南部投资800万亿韩元（约5180亿美元）建设四座半导体制造厂，三星电子和SK海力士各建两座。
在Jim Handy看来，长鑫科技有望在DRAM行业站稳脚跟。“长鑫科技的行业认可度比较高，其创始团队曾任职半导体巨头奇梦达，拥有成熟芯片设计积淀。早在DDR4时代，长鑫科技就已经对三星电子、SK海力士、美光科技三家海外巨头形成实质性竞争压力。自长鑫实现DDR4大规模出货后，海外三巨头纷纷缩减、退出 DDR4相关产能。即便长鑫科技不转向HBM，企业也能存续。”他对每经记者说。
据Semianalysis预测，到2026年底，长鑫的晶圆月产能将接近美光科技，达到35万片。“DRAM行业规模效应极强，若长鑫科技的月产能达到这一水平，就相当于5座7万片产能的大厂，即便规模红利会边际递减，但依旧能收获成本优势，例如和设备厂商谈判压价。”Jim Handy说。
Jim Handy还告诉每经记者，长鑫科技的市场占有率还具备持续的上升空间。市场研究机构Counterpoint数据显示，今年一季度，三星电子、SK海力士、美光科技和长鑫科技在DRAM市场中的份额分别为38%、29%、22%、8%。而在去年一季度，长鑫科技的份额还只有3%。
长鑫科技预计，2026年上半年营业收入将达到1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润预计为500亿至570亿元，同比增长超过22倍。
韩媒7月28日报道称，若长鑫科技持续提升技术水平和产能，将动摇目前由三星电子、SK海力士和美光科技主导的全球存储芯片三强格局。
本文来源：每日经济新闻
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